拓中科技团队突破晶圆技术瓶颈,助力"一带一路"芯片产业升级

常州大学怀德学院拓中科技团队在晶圆技术领域取得了重大突破,其研发的微米级晶圆芯片技术成果显著,为“一带一路”沿线国家的芯片产业发展注入了新的活力。

该项目有三项技术优势:其一,在硅基背面空腔填充干燥粉末,特定温度下,在微米层将AL2O3气体粉末填充在背部空腔中,最后凝聚成固体3D微孔。其二是经过多次蚀刻参数的调整,找到最佳比值,提高分子在空间的利用率,在单位晶圆上蚀刻芯片的数量得到增加,将单位批次良率提高至98.76%,为行业领先水准。第三就是优化硅晶圆长掩膜工艺流程,减少反复成膜衬底的蚀刻过程,从而达到简化工艺流程效果,降低对精密仪器的依赖。

同时团队针对“一带一路”沿线国家的需求,深入研发微米级晶圆芯片,经过不断地优化与改良,产品单位批次良率达98.76%,单晶圆芯片数量达576颗,实现了在微米量级下的晶圆芯片新突破。

拓中科技团队的技术突破不仅提升了自身在芯片制造领域的竞争力,更为“一带一路”沿线国家的芯片产业发展带来了新的机遇,有望助力这些国家实现出口替代,开拓芯片制造的新征程。（师媛媛/文 潘婷/摄）